창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMV50ENEAR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PMV50ENEA | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 43m옴 @ 3.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 276pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 510mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-236AB(SOT23) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934068715215 PMV50ENEAR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PMV50ENEAR | |
관련 링크 | PMV50E, PMV50ENEAR 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
RDE5C2A821J0K1H03B | 820pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RDE5C2A821J0K1H03B.pdf | ||
T499A335K010ATE6K0 | 3.3µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 6 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | T499A335K010ATE6K0.pdf | ||
STPSC10H065D | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC | STPSC10H065D.pdf | ||
4590-273K | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 5.15A 25 mOhm Max Axial | 4590-273K.pdf | ||
1-2176089-4 | RES SMD 14.7K OHM 0.1% 1/6W 0603 | 1-2176089-4.pdf | ||
WSK1206R0260FEA18 | RES SMD 0.026 OHM 1% 1/2W 1206 | WSK1206R0260FEA18.pdf | ||
PPT2-0002DFW2VS | Pressure Sensor ±2 PSI (±13.79 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Filter 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT2-0002DFW2VS.pdf | ||
NSP101M8D4TR | NSP101M8D4TR NIC SMD or Through Hole | NSP101M8D4TR.pdf | ||
FDM2512NZ. | FDM2512NZ. LITTELFUSE SMD | FDM2512NZ..pdf | ||
MRF19090A | MRF19090A MOT SMD or Through Hole | MRF19090A.pdf | ||
LTW-008ZDC-R | LTW-008ZDC-R Liteon SMD or Through Hole | LTW-008ZDC-R.pdf |