창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PMV37EN2R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PMV37EN2 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab 24/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 209pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 510mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-236AB(SOT23) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-12592-2 934068492215 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PMV37EN2R | |
| 관련 링크 | PMV37, PMV37EN2R 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | EL357NC(TA)-G | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP (2.54mm) | EL357NC(TA)-G.pdf | |
![]() | KTD258BKTD258B | KTD258BKTD258B ORIGINAL SMD or Through Hole | KTD258BKTD258B.pdf | |
![]() | PCD3354AH/079,518 | PCD3354AH/079,518 Philips SMD or Through Hole | PCD3354AH/079,518.pdf | |
![]() | S6B2086X01-T08A | S6B2086X01-T08A SAMSUNG QFP | S6B2086X01-T08A.pdf | |
![]() | TRS3386EI | TRS3386EI TI SOP20 | TRS3386EI.pdf | |
![]() | M4TL28-BR12LP6 | M4TL28-BR12LP6 STMICRO SMD or Through Hole | M4TL28-BR12LP6.pdf | |
![]() | CSC2003 | CSC2003 CSC SMD or Through Hole | CSC2003.pdf | |
![]() | RMPA1902-58 | RMPA1902-58 RAYTHEON QFP | RMPA1902-58.pdf | |
![]() | SDA5550M MICRONAS | SDA5550M MICRONAS ORIGINAL SMD or Through Hole | SDA5550M MICRONAS.pdf | |
![]() | CLC300AM | CLC300AM PMI CAN | CLC300AM.pdf |