창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMV25ENEAR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PMV25ENEA | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 597pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-236AB(SOT23) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934068716215 PMV25ENEAR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PMV25ENEAR | |
관련 링크 | PMV25E, PMV25ENEAR 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
SE50PADHM3/I | DIODE ESD | SE50PADHM3/I.pdf | ||
CRCW201022K6FKTF | RES SMD 22.6K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201022K6FKTF.pdf | ||
MSP3415D-PP-A1 | MSP3415D-PP-A1 MICRONAS DIP-64 | MSP3415D-PP-A1.pdf | ||
NVS285-NPB-A2 | NVS285-NPB-A2 NVIDIA BGA | NVS285-NPB-A2.pdf | ||
22UF/35V 5*7 | 22UF/35V 5*7 Cheng SMD or Through Hole | 22UF/35V 5*7.pdf | ||
AD484M16440TA-7L | AD484M16440TA-7L ORIGINAL TSOP | AD484M16440TA-7L.pdf | ||
63V470UF 13 | 63V470UF 13 ORIGINAL SMD or Through Hole | 63V470UF 13.pdf | ||
SRU20114R7Y | SRU20114R7Y BOURNS SMD | SRU20114R7Y.pdf | ||
PBL38621-2 R2 | PBL38621-2 R2 Infineon SSOP-24 | PBL38621-2 R2.pdf | ||
ES87C51FB1 | ES87C51FB1 Intel SMD or Through Hole | ES87C51FB1.pdf | ||
MAX1133BEA+ | MAX1133BEA+ MAXIM SSOP-20 | MAX1133BEA+.pdf |