창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PMV100ENEAR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PMV100ENEA | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 160pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 460mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-236AB(SOT23) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 934068713215 PMV100ENEAR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PMV100ENEAR | |
| 관련 링크 | PMV100, PMV100ENEAR 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | C1005C0G1H010C050BA | 1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005C0G1H010C050BA.pdf | |
![]() | 1812GA101JAT1A | 100pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GA101JAT1A.pdf | |
![]() | ACE431S | ACE431S ACE SMD or Through Hole | ACE431S.pdf | |
![]() | EKMF630ETD101MJC5S | EKMF630ETD101MJC5S Chemi-con NA | EKMF630ETD101MJC5S.pdf | |
![]() | H11A4.300W | H11A4.300W FAIRCHILD DIP-6 | H11A4.300W.pdf | |
![]() | MBM2756-25 | MBM2756-25 FUJI DIP | MBM2756-25.pdf | |
![]() | DAC712U/1KG4 | DAC712U/1KG4 TI SOP28 | DAC712U/1KG4.pdf | |
![]() | B4812S-1W | B4812S-1W ZPDZ SMD or Through Hole | B4812S-1W.pdf | |
![]() | 1-2K | 1-2K ORIGINAL SOP | 1-2K.pdf | |
![]() | MMBZ525XXXX | MMBZ525XXXX LRC SOT-23 | MMBZ525XXXX.pdf | |
![]() | 0201-8.25R | 0201-8.25R YOGEO// SMD or Through Hole | 0201-8.25R.pdf | |
![]() | LTC-5854AHG(M) | LTC-5854AHG(M) ORIGINAL ORIGINAL | LTC-5854AHG(M).pdf |