창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PMPB20XNEAX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PMPB20XNEA | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 7.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.25V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 930pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 460mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-DFN2020MD(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 934069561115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PMPB20XNEAX | |
| 관련 링크 | PMPB20, PMPB20XNEAX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E2C0G2A6R8D080AA | 6.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2C0G2A6R8D080AA.pdf | |
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![]() | HIN65C51ASM2 | HIN65C51ASM2 HRRIS SSOP | HIN65C51ASM2.pdf | |
![]() | 68K 1% 0603-1/10W-683-F | 68K 1% 0603-1/10W-683-F none SMD or Through Hole | 68K 1% 0603-1/10W-683-F.pdf | |
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![]() | 2SK1624(L,S) | 2SK1624(L,S) ORIGINAL TO-262 263 | 2SK1624(L,S).pdf | |
![]() | D27128A-2 (BULK) | D27128A-2 (BULK) INTEL DIP | D27128A-2 (BULK).pdf | |
![]() | NBJB226M006CRSB08 | NBJB226M006CRSB08 AVX SMD or Through Hole | NBJB226M006CRSB08.pdf | |
![]() | HD49890BT | HD49890BT HITACHI BGA | HD49890BT.pdf |