창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMN70XPE,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PMN70XPE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.25V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 602pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-10805-2 934066849115 PMN70XPE,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PMN70XPE,115 | |
관련 링크 | PMN70XP, PMN70XPE,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | V150ZS4PX2855 | VARISTOR 150V 2.5KA DISC 10MM | V150ZS4PX2855.pdf | |
![]() | HK1608R12J-T | 120nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 1.2 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | HK1608R12J-T.pdf | |
![]() | PHP00603E1130BST1 | RES SMD 113 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1130BST1.pdf | |
![]() | HY628400LLG-70 | HY628400LLG-70 HYUNDAI sop 32 | HY628400LLG-70.pdf | |
![]() | 75869-106LF | 75869-106LF FCI SMD or Through Hole | 75869-106LF.pdf | |
![]() | XC2VP50-6-FF1517 | XC2VP50-6-FF1517 XILINX SMD or Through Hole | XC2VP50-6-FF1517.pdf | |
![]() | AZ100EP16FET | AZ100EP16FET ARIZONA TSSOP-8 | AZ100EP16FET.pdf | |
![]() | IR3073ACS | IR3073ACS IR SOP8 | IR3073ACS.pdf | |
![]() | PM5326FI | PM5326FI ORIGINAL SMD or Through Hole | PM5326FI.pdf | |
![]() | EN0 | EN0 ORIGINAL MLF-8 | EN0.pdf | |
![]() | 9UM1200000E20F5FH000 | 9UM1200000E20F5FH000 HKC SMD or Through Hole | 9UM1200000E20F5FH000.pdf | |
![]() | ECOS1VA123EA | ECOS1VA123EA PANASONIC DIP | ECOS1VA123EA.pdf |