창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMEG45A10EPDAZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PMEG45A10EPD | |
PCN 설계/사양 | PMEG45U10EPDZ Datasheet Update 18/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 -평균 정류(Io) | 10A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 540mV @ 10A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 21ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 45V | |
정전 용량 @ Vr, F | 715pF @ 1V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | CFP15 | |
작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 568-11468-2 934068205139 PMEG45A10EPDAZ-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PMEG45A10EPDAZ | |
관련 링크 | PMEG45A1, PMEG45A10EPDAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 02013J2R5BBSTR | 2.5pF Thin Film Capacitor 25V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 02013J2R5BBSTR.pdf | |
![]() | 105-271H | 270nH Unshielded Inductor 650mA 230 mOhm Max 2-SMD | 105-271H.pdf | |
![]() | L083S101LF | RES ARRAY 4 RES 100 OHM 8SIP | L083S101LF.pdf | |
P51-200-G-B-M12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-G-B-M12-20MA-000-000.pdf | ||
![]() | NT128D64SH4B1G6K/NT5DS16M16 | NT128D64SH4B1G6K/NT5DS16M16 NAN DIMM | NT128D64SH4B1G6K/NT5DS16M16.pdf | |
![]() | BDV67B | BDV67B ST TO-3P | BDV67B.pdf | |
![]() | XC6383A301PR | XC6383A301PR TOREX SMD or Through Hole | XC6383A301PR.pdf | |
![]() | 52400-22ALF | 52400-22ALF FCI SMD or Through Hole | 52400-22ALF.pdf | |
![]() | FAR-F5KA-881M50-D4VY-Z | FAR-F5KA-881M50-D4VY-Z FUJITSU ORIGINAL | FAR-F5KA-881M50-D4VY-Z.pdf | |
![]() | SR236 | SR236 ORIGINAL DIP-20L | SR236.pdf | |
![]() | 15PF100VNPOJ | 15PF100VNPOJ AVX SMD or Through Hole | 15PF100VNPOJ.pdf | |
![]() | LT1404 | LT1404 LT SOP8 | LT1404.pdf |