창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PMDXB950UPEZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PMDXB950UPE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 500mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.1nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 43pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 265mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-XFDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | DFN1010B-6 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 568-12565-2 PMDXB950UPEZ-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PMDXB950UPEZ | |
| 관련 링크 | PMDXB95, PMDXB950UPEZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | C2012X5R0J475K085AB | 4.7µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X5R0J475K085AB.pdf | |
![]() | BK/GMW-2 | FUSE BOARD MOUNT 2A 125VAC RAD | BK/GMW-2.pdf | |
![]() | RG1608N-1272-B-T5 | RES SMD 12.7KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-1272-B-T5.pdf | |
![]() | ELM9327BA-S2762 | ELM9327BA-S2762 IC-ELM 2005 | ELM9327BA-S2762.pdf | |
![]() | ICS581G-01LFT | ICS581G-01LFT IDT TSSOP | ICS581G-01LFT.pdf | |
![]() | 0201-8.2N | 0201-8.2N TDK SMD or Through Hole | 0201-8.2N.pdf | |
![]() | IDT74FCT245ATP | IDT74FCT245ATP IDT DIP20 | IDT74FCT245ATP.pdf | |
![]() | S-80828CNNB-B8N-TF | S-80828CNNB-B8N-TF SII SOT343 | S-80828CNNB-B8N-TF.pdf | |
![]() | S71WS256ND0BFW | S71WS256ND0BFW SPANSION BGA | S71WS256ND0BFW.pdf | |
![]() | IR3536MTRPBF-C02 | IR3536MTRPBF-C02 IR ORIGIANL | IR3536MTRPBF-C02.pdf | |
![]() | R019 | R019 ORIGINAL SOP | R019.pdf |