NXP Semiconductors PMDXB1200UPEZ

PMDXB1200UPEZ
제조업체 부품 번호
PMDXB1200UPEZ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
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내부 부품 번호EIS-PMDXB1200UPEZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PMDXB1200UPE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C410mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.4옴 @ 410mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)950mV @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.2nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds43.2pF @ 15V
전력 - 최대285mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-XFDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010B-6
표준 포장 5,000
다른 이름568-12562-2
934069327147
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PMDXB1200UPEZ
관련 링크PMDXB12, PMDXB1200UPEZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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