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NXP Semiconductors PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115
제조업체 부품 번호
PMDT670UPE,115
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
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내부 부품 번호EIS-PMDT670UPE,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PMDT670UPE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C550mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs850m옴 @ 400mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.14nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds87pF @ 10V
전력 - 최대330mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-666
표준 포장 4,000
다른 이름568-10767-2
934065734115
PMDT670UPE,115-ND
PMDT670UPE115
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)PMDT670UPE,115
관련 링크PMDT670U, PMDT670UPE,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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