창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PMCM6501VNEZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PMCM6501VNE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 556mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-XFBGA, WLCSP | |
| 공급 장치 패키지 | 6-WLCSP(1.48x.98) | |
| 표준 포장 | 4,500 | |
| 다른 이름 | 934068873023 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PMCM6501VNEZ | |
| 관련 링크 | PMCM650, PMCM6501VNEZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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![]() | LQB18NNR47J10D | 470nH Shielded Multilayer Inductor 400mA 580 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQB18NNR47J10D.pdf | |
![]() | 22MF/160VA | 22MF/160VA ARROWHART SMD or Through Hole | 22MF/160VA.pdf | |
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![]() | 3C80F9XJW-QZRP | 3C80F9XJW-QZRP ORIGINAL QFP44 | 3C80F9XJW-QZRP.pdf | |
![]() | CP8053 | CP8053 ORIGINAL DIP8 SOP8 | CP8053.pdf | |
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![]() | SST89E54RD-40-C-PIE | SST89E54RD-40-C-PIE SST SMD or Through Hole | SST89E54RD-40-C-PIE.pdf | |
![]() | OM5191 | OM5191 PHILPS SOP | OM5191.pdf |