창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PMBFJ110,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PMBFJ108.109,110 | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1502 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N채널 | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | 25V | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 10mA @ 15V | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 4V @ 1µA | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 30pF @ 10V(VGS) | |
| 저항 - RDS(On) | 18옴 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-2080-2 934003900215 PMBFJ110 T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PMBFJ110,215 | |
| 관련 링크 | PMBFJ11, PMBFJ110,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 687KXM035M | 680µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 292.6 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 105°C | 687KXM035M.pdf | |
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![]() | RT0805WRB07107RL | RES SMD 107 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRB07107RL.pdf | |
![]() | H493R1BCA | RES 93.1 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H493R1BCA.pdf | |
![]() | S1D15720D01B000 | S1D15720D01B000 EPSON SMD or Through Hole | S1D15720D01B000.pdf | |
![]() | PCF50635HN/01/N2 | PCF50635HN/01/N2 PHILIPS QFN | PCF50635HN/01/N2.pdf | |
![]() | 2SD1138C-T | 2SD1138C-T HITACHI DIP | 2SD1138C-T.pdf | |
![]() | Z86E0812PSC-2I | Z86E0812PSC-2I ZILOS DIP | Z86E0812PSC-2I.pdf | |
![]() | LT5560EDD#PBF. | LT5560EDD#PBF. LT DFN | LT5560EDD#PBF..pdf | |
![]() | PI5V3310QE | PI5V3310QE PI SSOP | PI5V3310QE.pdf | |
![]() | P1170.901NL | P1170.901NL PULSE SMD | P1170.901NL.pdf |