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NXP Semiconductors PHN210T,118

PHN210T,118
제조업체 부품 번호
PHN210T,118
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
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PHN210T,118 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PHN210T,118
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PHN210T
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체NXP Semiconductors
계열TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs100m옴 @ 2.2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds250pF @ 20V
전력 - 최대2W
작동 온도-65°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름568-11062-2
934055451118
PHN210T /T3
PHN210T /T3-ND
PHN210T,118-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PHN210T,118
관련 링크PHN210, PHN210T,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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