NXP Semiconductors PHKD6N02LT,518

PHKD6N02LT,518
제조업체 부품 번호
PHKD6N02LT,518
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
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PHKD6N02LT,518 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PHKD6N02LT,518
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)2(1년)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PHKD6N02LT
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체NXP Semiconductors
계열TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10.9A
Rds On(최대) @ Id, Vgs20m옴 @ 3A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15.3nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds950pF @ 10V
전력 - 최대4.17W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름934056831518
PHKD6N02LT /T3
PHKD6N02LT /T3-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PHKD6N02LT,518
관련 링크PHKD6N02, PHKD6N02LT,518 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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