- PHE425DB5330J
PHE425DB5330J 가격 및 조달
가능 수량
113760 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 PHE425DB5330J 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. PHE425DB5330J 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PHE425DB5330J가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- PHE425DB5330J 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PHE425DB5330J 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PHE425DB5330J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | PHE425DB5330J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | PHE425DB5330J | |
| 관련 링크 | PHE425D, PHE425DB5330J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
PHE425DB5330J 의 관련 제품
 | STD15N60M2-EP | MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK | STD15N60M2-EP.pdf | |
 | IMP4-5V0-03-A | IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IMP4-5V0-03-A.pdf | |
 | G6S-2G-Y-TR DC24 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | G6S-2G-Y-TR DC24.pdf | |
.jpg) | RT0805CRE073K48L | RES SMD 3.48KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE073K48L.pdf | |
 | IM4A3-64/64-10VC | IM4A3-64/64-10VC LATTICG TQFP | IM4A3-64/64-10VC.pdf | |
| NE5501N | NE5501N PHI DIP16 | NE5501N.pdf | |
| 1N4353 | 1N4353 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1N4353.pdf | |
| 1496476-6 | 1496476-6 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1496476-6.pdf | |
| BCM4505KQLEQ | BCM4505KQLEQ BROADCOM QFP | BCM4505KQLEQ.pdf | |
| DS1834AU+ | DS1834AU+ MAXIM MSOP-8 | DS1834AU+.pdf | |
| MAX660CSATR-LF | MAX660CSATR-LF NSC SMD or Through Hole | MAX660CSATR-LF.pdf | |
| RC4195DN | RC4195DN RAYTHEON DIP8 | RC4195DN.pdf |