창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PHB27NQ10T,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PHB27NQ10T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1240pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | 568-5940-2 934055809118 PHB27NQ10T /T3 PHB27NQ10T /T3-ND PHB27NQ10T,118-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PHB27NQ10T,118 | |
관련 링크 | PHB27NQ1, PHB27NQ10T,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D101JLCAJ | 100pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D101JLCAJ.pdf | |
![]() | CY3-101 | CY3-101 KOR SMD | CY3-101.pdf | |
![]() | MSM6586JS-7DR | MSM6586JS-7DR OKI PLCC | MSM6586JS-7DR.pdf | |
![]() | AMS/353 | AMS/353 PAN SOT-353 | AMS/353.pdf | |
![]() | 1S1685 | 1S1685 SHARP SMD or Through Hole | 1S1685.pdf | |
![]() | XC3030A VQ6407C | XC3030A VQ6407C XILINX QFP | XC3030A VQ6407C.pdf | |
![]() | MK2704SL | MK2704SL ICS SOP-8 | MK2704SL.pdf | |
![]() | IR473C | IR473C EVERLIGHT SMD or Through Hole | IR473C.pdf | |
![]() | PS2801-4-F3-A LL | PS2801-4-F3-A LL NEC SOP | PS2801-4-F3-A LL.pdf | |
![]() | 593D157X96R3E2WE3 | 593D157X96R3E2WE3 Vishay SMD | 593D157X96R3E2WE3.pdf | |
![]() | R1446NS10C | R1446NS10C WESTCODE MODULE | R1446NS10C.pdf | |
![]() | TDA9341NS/A/1999 | TDA9341NS/A/1999 PHILIPS DIP | TDA9341NS/A/1999.pdf |