창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PH6325L,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PH6325L | |
| PCN 포장 | Leader/Trailer Update 03/Apr/2015 Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1502 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 78.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1871pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-2181-2 934058203115 PH6325L T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PH6325L,115 | |
| 관련 링크 | PH6325, PH6325L,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | LPX391M200C1P3 | 390µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 510 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | LPX391M200C1P3.pdf | |
![]() | CMR05F361GPDP | CMR MICA | CMR05F361GPDP.pdf | |
![]() | TM25TA-H | TM25TA-H MITSUBIS SMD or Through Hole | TM25TA-H.pdf | |
![]() | 6912CBZ | 6912CBZ ORIGINAL CCXH | 6912CBZ.pdf | |
![]() | 61C328AH-15 | 61C328AH-15 WRITEBACK DIP28P | 61C328AH-15.pdf | |
![]() | CTL86028IW | CTL86028IW ORIGINAL QFP | CTL86028IW.pdf | |
![]() | MURD320CT | MURD320CT ON SOT-252 | MURD320CT.pdf | |
![]() | 1812 0.68UF/16V | 1812 0.68UF/16V ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812 0.68UF/16V.pdf | |
![]() | FETST | FETST ST BGA | FETST.pdf | |
![]() | STK20C04-W45F | STK20C04-W45F STK DIP28 | STK20C04-W45F.pdf | |
![]() | CS0805CHGR-R56J | CS0805CHGR-R56J ORIGINAL SMD | CS0805CHGR-R56J.pdf | |
![]() | NCV8503PWADJ | NCV8503PWADJ ON SOP-16 | NCV8503PWADJ.pdf |