창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PH4840S,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PH4840S | |
| PCN 부품 상태 변경 | Mult Device Reactivation 4/Jul/2012 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 94.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 67nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3660pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-2180-2 934057823115 PH4840S T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PH4840S,115 | |
| 관련 링크 | PH4840, PH4840S,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-2RKF7873X | RES SMD 787K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF7873X.pdf | |
![]() | E2EQ-X7D1 5M | Inductive Proximity Sensor 0.276" (7mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | E2EQ-X7D1 5M.pdf | |
![]() | 20V8Q | 20V8Q AMD SMD or Through Hole | 20V8Q.pdf | |
![]() | P89V51RD2F | P89V51RD2F NXP DIP-40 | P89V51RD2F.pdf | |
![]() | LC895926-PES | LC895926-PES SANYO SMD or Through Hole | LC895926-PES.pdf | |
![]() | 015Z8.2-Y | 015Z8.2-Y TOSHIBA SOD523 | 015Z8.2-Y.pdf | |
![]() | 74477 | 74477 MITSUBIS DIP8 | 74477.pdf | |
![]() | P600BB001 | P600BB001 dio SMD or Through Hole | P600BB001.pdf | |
![]() | MDP1603100RGD04 | MDP1603100RGD04 DALE DIP-16 | MDP1603100RGD04.pdf | |
![]() | BZV55-C33,115 | BZV55-C33,115 NXP DO-213 | BZV55-C33,115.pdf | |
![]() | P14NG-1205Z2:1LF | P14NG-1205Z2:1LF PEAK SIP | P14NG-1205Z2:1LF.pdf |