창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PESD5V0U4BW,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PESD5V0U4B(F,W) | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 4 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 5.5V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 자동차 | |
정전 용량 @ 주파수 | 2.9pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TA) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-665 | |
공급 장치 패키지 | SOT-665 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 568-7354-2 934061953115 PESD5V0U4BW,115-ND PESD5V0U4BW115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PESD5V0U4BW,115 | |
관련 링크 | PESD5V0U4, PESD5V0U4BW,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | MLG0603P9N1JT000 | 9.1nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 900 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P9N1JT000.pdf | |
![]() | CEP123NP-1R2MC | 1.2µH Shielded Inductor 10A 5.83 mOhm Max Nonstandard | CEP123NP-1R2MC.pdf | |
![]() | 155SDYG11 | 155SDYG11 ORIGINAL 1210 | 155SDYG11.pdf | |
![]() | SN75C188N,DS14C88 | SN75C188N,DS14C88 TI DIP | SN75C188N,DS14C88.pdf | |
![]() | 2-5747708-0 | 2-5747708-0 AMPLIMITE/WSI SMD or Through Hole | 2-5747708-0.pdf | |
![]() | AD7530LCWE | AD7530LCWE AD/PMI SOP16 | AD7530LCWE.pdf | |
![]() | 106X9050 | 106X9050 AVX SMD or Through Hole | 106X9050.pdf | |
![]() | 82551IT | 82551IT Intel NA | 82551IT.pdf | |
![]() | IRF3415-Mexico | IRF3415-Mexico IR TO-220 | IRF3415-Mexico.pdf | |
![]() | LQG21NR47K10T1M0001 | LQG21NR47K10T1M0001 murata SMD or Through Hole | LQG21NR47K10T1M0001.pdf | |
![]() | HE2W687M35060HA180 | HE2W687M35060HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2W687M35060HA180.pdf | |
![]() | ACS755SCB-200-PFF | ACS755SCB-200-PFF Allerog 3-CB | ACS755SCB-200-PFF.pdf |