창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PESD5V0S1ULD,315 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PESD5V0S1ULD | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 6.4V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 20V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 15A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | 150W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 자동차 | |
정전 용량 @ 주파수 | 152pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TA) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882D | |
공급 장치 패키지 | SOD882D | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 934064564315 PESD5V0S1ULD315 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PESD5V0S1ULD,315 | |
관련 링크 | PESD5V0S1, PESD5V0S1ULD,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 416F52022AAR | 52MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52022AAR.pdf | |
![]() | SIT9002AC-43N25EO | 1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 80mA Enable/Disable | SIT9002AC-43N25EO.pdf | |
![]() | MBR10100 | DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC | MBR10100.pdf | |
![]() | PE-51513NL | 144µH Unshielded Toroidal Inductor 10A 32 mOhm Max Radial | PE-51513NL.pdf | |
![]() | RC0402FR-07274RL | RES SMD 274 OHM 1% 1/16W 0402 | RC0402FR-07274RL.pdf | |
![]() | HMC737LP4ETR | RF IC VCO General Purpose 14.9GHz ~ 15.5GHz Dual Outputs (Divide by 2, Standard) 24-QFN (4x4) | HMC737LP4ETR.pdf | |
![]() | LC89515-SC | LC89515-SC ORIGINAL QFP | LC89515-SC.pdf | |
![]() | CTL-6-L | CTL-6-L U_RD SMD or Through Hole | CTL-6-L.pdf | |
![]() | HB52F649E1-75B | HB52F649E1-75B ElpidaMemoryInc Tray | HB52F649E1-75B.pdf | |
![]() | 2SK3857-TT-B | 2SK3857-TT-B Toshiba ABC | 2SK3857-TT-B.pdf | |
![]() | 874999 | 874999 ORIGINAL SMD or Through Hole | 874999.pdf | |
![]() | PIC18F8680-1/PT | PIC18F8680-1/PT MICROCHIPTECHNOLO SMD or Through Hole | PIC18F8680-1/PT.pdf |