창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PESD5V0S1BB,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PESD5V0S1B(A,B,L) | |
| 제품 교육 모듈 | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Fab Process/Location Chg 9/Apr/2016 Wafer Design Chg 13/Jun/2016 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1503 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 5.5V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 14V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 12A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 130W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 35pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TA) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-4054-2 934058005115 PESD5V0S1BB T/R PESD5V0S1BB T/R-ND PESD5V0S1BB115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PESD5V0S1BB,115 | |
| 관련 링크 | PESD5V0S1, PESD5V0S1BB,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CDRH2D11NP-100NC | 10µH Shielded Inductor 650mA 400 mOhm Max Nonstandard | CDRH2D11NP-100NC.pdf | |
![]() | 11N50 | 11N50 FCS SMD or Through Hole | 11N50.pdf | |
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![]() | GBPC3501S | GBPC3501S VISHAY/TSC/WTE SMD or Through Hole | GBPC3501S.pdf | |
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![]() | MPU-3050C | MPU-3050C ORIGINAL QFN-24 | MPU-3050C.pdf | |
![]() | T491C105K050AT7280 | T491C105K050AT7280 KEMET SMD | T491C105K050AT7280.pdf |