창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PESD5V0S1BA,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PESD5V0S1B(A,B,L) | |
제품 교육 모듈 | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 26/Oct/2013 Copper Bond Wire 14/Dec/2013 Wafer Fab Process/Location Chg 9/Apr/2016 Wafer Design Chg 13/Jun/2016 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1503 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 5.5V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 14V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 12A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | 130W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 35pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TA) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-4053-2 934058004115 PESD5V0S1BA T/R PESD5V0S1BA T/R-ND PESD5V0S1BA115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PESD5V0S1BA,115 | |
관련 링크 | PESD5V0S1, PESD5V0S1BA,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | MC74VHC1GT125D1G | MC74VHC1GT125D1G MOT SMD or Through Hole | MC74VHC1GT125D1G.pdf | |
![]() | VTC3-EDEN ESP8000_G | VTC3-EDEN ESP8000_G VIA SMD or Through Hole | VTC3-EDEN ESP8000_G.pdf | |
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![]() | IB1209LS/D-1W | IB1209LS/D-1W ORIGINAL SIPDIP | IB1209LS/D-1W.pdf | |
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![]() | PBL3717/02 | PBL3717/02 ERICSSON DIP | PBL3717/02.pdf | |
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![]() | ECHU1H391GB | ECHU1H391GB ORIGINAL SMD or Through Hole | ECHU1H391GB.pdf | |
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