홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PEMD9,115

NXP Semiconductors PEMD9,115

PEMD9,115
제조업체 부품 번호
PEMD9,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
데이터 시트 다운로드
다운로드
PEMD9,115 가격 및 조달

가능 수량

12550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 45.13355
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PEMD9,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PEMD9,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PEMD9,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PEMD9,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PEMD9,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PEMD9,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PEMD9,PUMD9
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-666
표준 포장 4,000
다른 이름568-11264-2
934056706115
PEMD9 T/R
PEMD9 T/R-ND
PEMD9,115-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PEMD9,115
관련 링크PEMD9, PEMD9,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PEMD9,115 의 관련 제품
TVS DIODE 9VWM 15.4VC P600 5KP9.0A-E3/54.pdf
RES SMD 1.27K OHM 1% 1/10W 0603 RC1608F1271CS.pdf
RES SMD 10 OHM 5% 1W 2512 CRG2512J10R.pdf
528270611 MOLEX BOX 528270611.pdf
BD4732G-TR ROHM SMD or Through Hole BD4732G-TR.pdf
KS754U2334 K BGA KS754U2334.pdf
S-8232AEFT-T2-G SEIKO TSSOP8 S-8232AEFT-T2-G.pdf
AD547MH/883 AD CAN8 AD547MH/883.pdf
DSD8903V3 PHI DIP-40 DSD8903V3.pdf
TLK1102ER TI QFN-20 TLK1102ER.pdf
S6CG231X03-52X0 SAMSUNG SMD or Through Hole S6CG231X03-52X0.pdf