홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PEMD9,115

NXP Semiconductors PEMD9,115

PEMD9,115
제조업체 부품 번호
PEMD9,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
데이터 시트 다운로드
다운로드
PEMD9,115 가격 및 조달

가능 수량

12550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 45.13355
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PEMD9,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PEMD9,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PEMD9,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PEMD9,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PEMD9,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PEMD9,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PEMD9,PUMD9
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-666
표준 포장 4,000
다른 이름568-11264-2
934056706115
PEMD9 T/R
PEMD9 T/R-ND
PEMD9,115-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PEMD9,115
관련 링크PEMD9, PEMD9,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PEMD9,115 의 관련 제품
VARISTOR 25.5V 30A 0805 V2AF118A400Y2EDP.pdf
15 Ohm Impedance Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) Surface Mount 1.2A 1 Lines 50 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C BK2125HS150-T.pdf
RES SMD 158 OHM 0.5% 1/4W 1206 RG3216V-1580-D-T5.pdf
HER207TA PY DIP HER207TA.pdf
CD54ACT139F ORIGINAL DIP CD54ACT139F.pdf
HA72520-2 ORIGINAL DIP-8 HA72520-2.pdf
MCSL-8K145-9 MHS PLCC44 MCSL-8K145-9.pdf
R0460004 LF SMD or Through Hole R0460004.pdf
MAX4074HAUT MAX SOT23-7 MAX4074HAUT.pdf
PEI 2A682 ORIGINAL SMD or Through Hole PEI 2A682.pdf
UCC5950DTRG4 TI SOP8 UCC5950DTRG4.pdf
LTC2170IUKG-14 LT QFN-52 LTC2170IUKG-14.pdf