홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PEMD12,115

NXP Semiconductors PEMD12,115

PEMD12,115
제조업체 부품 번호
PEMD12,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
데이터 시트 다운로드
다운로드
PEMD12,115 가격 및 조달

가능 수량

12550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 45.13355
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PEMD12,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PEMD12,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PEMD12,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PEMD12,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PEMD12,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PEMD12,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PEMD12,PUMD12
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-666
표준 포장 4,000
다른 이름568-12017-2-ND
934056859115
PEMD12 T/R
PEMD12 T/R-ND
PEMD12,115-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PEMD12,115
관련 링크PEMD12, PEMD12,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PEMD12,115 의 관련 제품
OSC XO 1.8V 156.25MHZ OE SIT8209AC-G2-18E-156.250000T.pdf
RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16DIP MDP16031K00GE04.pdf
UPD41256L-10 NEC NA UPD41256L-10.pdf
TK73433TCB-G TOKO SOT89L-5 TK73433TCB-G.pdf
EPM7512AEB1256-7 WSI BGA-256D EPM7512AEB1256-7.pdf
3765CUME MAXIM MSOP10 3765CUME.pdf
AN6565 PANASONIC SMD or Through Hole AN6565.pdf
13522325 POWERSIGNALGROUP SMD or Through Hole 13522325.pdf
CGF040M5 SAURO SMD or Through Hole CGF040M5.pdf
016HJIC ORIGINAL SMD or Through Hole 016HJIC.pdf
MNPH4208BFT PANASONIC QFP MNPH4208BFT.pdf
CA3139 RCA DIP CA3139.pdf