홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PEMD12,115

NXP Semiconductors PEMD12,115

PEMD12,115
제조업체 부품 번호
PEMD12,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
데이터 시트 다운로드
다운로드
PEMD12,115 가격 및 조달

가능 수량

12550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 45.13355
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PEMD12,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PEMD12,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PEMD12,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PEMD12,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PEMD12,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PEMD12,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PEMD12,PUMD12
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-666
표준 포장 4,000
다른 이름568-12017-2-ND
934056859115
PEMD12 T/R
PEMD12 T/R-ND
PEMD12,115-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PEMD12,115
관련 링크PEMD12, PEMD12,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PEMD12,115 의 관련 제품
470µF 50V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C TVX1H471MCD1LT.pdf
RES SMD 9.76KOHM 0.5% 1/16W 0402 RE0402DRE079K76L.pdf
LM3842AD HTC SOP-8 LM3842AD.pdf
PMD1212PMB3-A(2).F.GN SUNON CALL PMD1212PMB3-A(2).F.GN.pdf
5SG11 BZD BGA 5SG11.pdf
6KA14A FD R-6 6KA14A.pdf
MC33761SNT1-25 ON SOT MC33761SNT1-25.pdf
54323-1109 MOLEX SMD or Through Hole 54323-1109.pdf
SHP102W IR SMD or Through Hole SHP102W.pdf
EH17AV ON SOP-28L EH17AV.pdf
UMG11 NOPB ROHM SOT23 UMG11 NOPB.pdf
1759981 PHOENIX BULK 1759981.pdf