창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PEMB30,315 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | P(E,U)MB30 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-666 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | 934059927315 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PEMB30,315 | |
| 관련 링크 | PEMB30, PEMB30,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 1N4006E-E3/54 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL | 1N4006E-E3/54.pdf | |
![]() | HRG3216P-1470-B-T5 | RES SMD 147 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1470-B-T5.pdf | |
![]() | CMF2010K000GKR6 | RES 10K OHM 1W 2% AXIAL | CMF2010K000GKR6.pdf | |
![]() | IXFH60N20Q | IXFH60N20Q IXYS TO-3P | IXFH60N20Q.pdf | |
![]() | ADS674JP | ADS674JP BB DIP | ADS674JP.pdf | |
![]() | M2732A-12F1 | M2732A-12F1 ST DIP | M2732A-12F1.pdf | |
![]() | 1W 110V | 1W 110V ST DO-41 | 1W 110V.pdf | |
![]() | 12J19 | 12J19 CTS QFN | 12J19.pdf | |
![]() | NSF109-R47M | NSF109-R47M YAGEO SMD | NSF109-R47M.pdf | |
![]() | BBY31/S1p | BBY31/S1p PHILIPS SOT-23 | BBY31/S1p.pdf | |
![]() | BU941 + | BU941 + ST TO3 | BU941 +.pdf | |
![]() | UPD17052CW-E28 | UPD17052CW-E28 NEC DIP | UPD17052CW-E28.pdf |