홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PEMB19,115

NXP Semiconductors PEMB19,115

PEMB19,115
제조업체 부품 번호
PEMB19,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
데이터 시트 다운로드
다운로드
PEMB19,115 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 79.85175
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PEMB19,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PEMB19,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PEMB19,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PEMB19,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PEMB19,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PEMB19,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PEMB,PUMB19
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)22k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-666
표준 포장 4,000
다른 이름934058915115
PEMB19 T/R
PEMB19 T/R-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PEMB19,115
관련 링크PEMB19, PEMB19,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PEMB19,115 의 관련 제품
1500pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) CGA3EAC0G2A152J080AC.pdf
TVS DIODE 102VWM 173.25VC AXIAL P6KE120-B.pdf
Pressure Sensor ±20 PSI (±137.9 kPa) Differential Female - 1/8" (3.18mm) Swagelok™, Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 V ~ 5 V Module Cube PPT2-0020DGR5VS.pdf
SAB-C515-LM AB SIEMENS MQFP80 SAB-C515-LM AB.pdf
HCF4536BEY ST/ SMD or Through Hole HCF4536BEY.pdf
LG5801A LG IC LG5801A.pdf
ISL6266ACRZ INTERSIL QFN-48 ISL6266ACRZ.pdf
235050010101L YAGEO SMD 235050010101L.pdf
PDSP1601ABO GPS PGA PDSP1601ABO.pdf
TS2N ORIGINAL SMD or Through Hole TS2N.pdf
RWF350LG682M76X130LL UMITEDCHEMI-CON DIP RWF350LG682M76X130LL.pdf