창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PEH200YG3330MU2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | PEH200YG3330MU2 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | PEH200YG3330MU2 | |
| 관련 링크 | PEH200YG3, PEH200YG3330MU2 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F250X2IKT | 25MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X2IKT.pdf | |
| KC5032A4.00000CMGE00 | 4MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V 7mA Standby (Power Down) | KC5032A4.00000CMGE00.pdf | ||
![]() | NVMFS5C682NLT3G | MOSFET N-CH 60V SO8FL | NVMFS5C682NLT3G.pdf | |
![]() | FQPF10N60C | MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F | FQPF10N60C.pdf | |
![]() | H8113RBZA | RES 113 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8113RBZA.pdf | |
![]() | F0603E1R75STR | F0603E1R75STR AVX 581-F0603E1R75STR | F0603E1R75STR.pdf | |
![]() | FSTD16211GX | FSTD16211GX FAIRCHIL BGA | FSTD16211GX.pdf | |
![]() | BLM31AJ601 07+ 33000 | BLM31AJ601 07+ 33000 MURATA 1206 | BLM31AJ601 07+ 33000.pdf | |
![]() | BDS-3516D-471M | BDS-3516D-471M BUJEON 3D-470UH | BDS-3516D-471M.pdf | |
![]() | AT414 | AT414 HP CAN-4 | AT414.pdf | |
![]() | TC7SA05FU (T5L | TC7SA05FU (T5L TOSHIBA SOT-353 | TC7SA05FU (T5L.pdf |