창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PDZ30B,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PDZ-B Series | |
PCN 조립/원산지 | Carrier Tape Design Chg 03/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 23V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11985-2-ND 934054870115 PDZ30B T/R PDZ30B T/R-ND PDZ30B,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PDZ30B,115 | |
관련 링크 | PDZ30B, PDZ30B,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | C1812C222JDGACTU | 2200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C222JDGACTU.pdf | |
![]() | SQCAEM3R5BAJWE | 3.5pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEM3R5BAJWE.pdf | |
![]() | P51-100-G-B-I36-20MA-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-100-G-B-I36-20MA-000-000.pdf | |
![]() | RB1A688M1635M | RB1A688M1635M samwha DIP-2 | RB1A688M1635M.pdf | |
![]() | 2SB579 | 2SB579 ON TO 3P | 2SB579.pdf | |
![]() | GCRS05R6J15.6 | GCRS05R6J15.6 LG SMD or Through Hole | GCRS05R6J15.6.pdf | |
![]() | 750G74T74 | 750G74T74 DELCO ZIP | 750G74T74.pdf | |
![]() | NSVS681 | NSVS681 JRC SMD or Through Hole | NSVS681.pdf | |
![]() | KMR-02 | KMR-02 ORIGINAL SMD or Through Hole | KMR-02.pdf | |
![]() | RN1411(T5L | RN1411(T5L TOSHIBA SMD or Through Hole | RN1411(T5L.pdf | |
![]() | AC-D01C | AC-D01C COMPLEXMICROINTE SMD or Through Hole | AC-D01C.pdf |