창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PDZ18B,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PDZ-B Series | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 26/Oct/2013 Copper Bond Wire 14/Dec/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Carrier Tape Design Chg 03/May/2016 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 13V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-6446-2 934054865115 PDZ18B T/R PDZ18B T/R-ND PDZ18B,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PDZ18B,115 | |
관련 링크 | PDZ18B, PDZ18B,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
SMCG51A-M3/57T | TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO-215AB | SMCG51A-M3/57T.pdf | ||
RNF14BAE25K2 | RES 25.2K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE25K2.pdf | ||
NJM4559D-#ZAZB | NJM4559D-#ZAZB JRC SMD or Through Hole | NJM4559D-#ZAZB.pdf | ||
P1500RE | P1500RE Littelfuse T0-220 | P1500RE.pdf | ||
R1608J10OHM-SIN | R1608J10OHM-SIN ORIGINAL SMD or Through Hole | R1608J10OHM-SIN.pdf | ||
CV1609-01303QRG | CV1609-01303QRG ESPCOATING SMD or Through Hole | CV1609-01303QRG.pdf | ||
MAX327CSE+T | MAX327CSE+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX327CSE+T.pdf | ||
LRMSTUX | LRMSTUX MNC SMD or Through Hole | LRMSTUX.pdf | ||
M57472101E | M57472101E MOT SMD or Through Hole | M57472101E.pdf | ||
ESME251ELL3R3MJC5S | ESME251ELL3R3MJC5S Chemi-con NA | ESME251ELL3R3MJC5S.pdf | ||
PBS3316-2R2MT | PBS3316-2R2MT SKYMOS SMD | PBS3316-2R2MT.pdf |