홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTD123YQAZ

NXP Semiconductors PDTD123YQAZ

PDTD123YQAZ
제조업체 부품 번호
PDTD123YQAZ
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTD123YQAZ 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 62.76440
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTD123YQAZ 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTD123YQAZ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTD123YQAZ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTD123YQAZ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTD123YQAZ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTD123YQAZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTD113Z, 123Y, 143XQA
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션210MHz
전력 - 최대325mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010D-3
표준 포장 5,000
다른 이름934069274147
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTD123YQAZ
관련 링크PDTD12, PDTD123YQAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTD123YQAZ 의 관련 제품
TVS DIODE 6VWM 10.2VC DO214AA SMBJ6.0D-M3/I.pdf
RES SMD 21K OHM 0.1% 1/16W 0402 ERA-2ARB2102X.pdf
Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Absolute Male - 9/16" (14.29mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder P51-1500-A-AF-I12-20MA-000-000.pdf
CT-55R CT DIP-18P CT-55R.pdf
RS1K- HGD SMA RS1K-.pdf
L7980 STM SMD or Through Hole L7980.pdf
TLV70033 TI SOT23-5 TLV70033.pdf
AAT3220IQY-18 ORIGINAL SMD or Through Hole AAT3220IQY-18.pdf
74FCT3245AQ IDT/IDT SMD or Through Hole 74FCT3245AQ.pdf
XPY3LUG11D SunLED SMD or Through Hole XPY3LUG11D.pdf
47KOHM ORIGINAL QFN 47KOHM.pdf
ML9351A OKI SMD or Through Hole ML9351A.pdf