홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTD123EUF

NXP Semiconductors PDTD123EUF

PDTD123EUF
제조업체 부품 번호
PDTD123EUF
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 0.425W
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTD123EUF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 63.25860
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTD123EUF 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTD123EUF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTD123EUF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTD123EUF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTD123EUF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTD123EUF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTD1zzzU Series
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)2.2k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션225MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70
표준 포장 10,000
다른 이름934068332135
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTD123EUF
관련 링크PDTD12, PDTD123EUF 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTD123EUF 의 관련 제품
5µF Film Capacitor 900V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.693" L x 0.728" W (43.00mm x 18.50mm) MKP1848550094P2.pdf
RES SMD 2.05KOHM 0.05% 1/8W 0805 RG2012N-2051-W-T1.pdf
RES SMD 3.57K OHM 1% 1/10W 0603 CRCW06033K57FKTB.pdf
RES ARRAY 4 RES 56K OHM 0804 MNR04MRAPJ563.pdf
Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder P51-15-A-J-P-5V-000-000.pdf
C4343 NEC TO-252251 C4343.pdf
LCBE6SG-V1AB-7J8K OSRAM SMD LCBE6SG-V1AB-7J8K.pdf
STA338BW ST SMD STA338BW.pdf
SSB11V-R13090A NEC SMD or Through Hole SSB11V-R13090A.pdf
AW88. ORIGINAL SOP-8 AW88..pdf
EC04-1210GC/E Everlight SMD or Through Hole EC04-1210GC/E.pdf