홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTD123EQAZ

NXP Semiconductors PDTD123EQAZ

PDTD123EQAZ
제조업체 부품 번호
PDTD123EQAZ
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTD123EQAZ 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 62.76440
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTD123EQAZ 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTD123EQAZ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTD123EQAZ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTD123EQAZ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTD123EQAZ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTD123EQAZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTD113, 123, 143, 114EQA
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)2.2k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션210MHz
전력 - 최대325mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010D-3
표준 포장 5,000
다른 이름934069265147
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTD123EQAZ
관련 링크PDTD12, PDTD123EQAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTD123EQAZ 의 관련 제품
100pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D101JXCAT.pdf
CD75-47UH ORIGINAL SMD or Through Hole CD75-47UH.pdf
TMP47C443FB97 ORIGINAL DIPSOP TMP47C443FB97.pdf
EEEHA1 H101UP PANASONIC SMT EEEHA1 H101UP.pdf
SW-217 M/A-COM SMD or Through Hole SW-217.pdf
DAC0808LCM-LF NS SMD or Through Hole DAC0808LCM-LF.pdf
ESDA14V2C ST SOT23 ESDA14V2C.pdf
1826-2582 ST SOT-23 1826-2582.pdf
H1117S-1.8 H SOT-223 H1117S-1.8.pdf
LM1496AMX NSC sop LM1496AMX.pdf
FQV3660L-10PF HBa QFP-128L FQV3660L-10PF.pdf
K4B4G0446B-MCF8 SAMSUNG BGA K4B4G0446B-MCF8.pdf