홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTD113EUF

NXP Semiconductors PDTD113EUF

PDTD113EUF
제조업체 부품 번호
PDTD113EUF
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 0.425W
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTD113EUF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 63.25860
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTD113EUF 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTD113EUF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTD113EUF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTD113EUF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTD113EUF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTD113EUF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTD1zzzU Series
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)1k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션225MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70
표준 포장 10,000
다른 이름934068341135
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTD113EUF
관련 링크PDTD11, PDTD113EUF 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTD113EUF 의 관련 제품
0.10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) C0603C104M3RALTU.pdf
RES SMD 13 OHM 5% 11W 1206 RCP1206W13R0JS6.pdf
35TZV4R7M-4X6.1 RUBYCON SMD or Through Hole 35TZV4R7M-4X6.1.pdf
TRBS-5D-SA-CL-R-H TTI SMD or Through Hole TRBS-5D-SA-CL-R-H.pdf
644551-6 AMP/TYCO SMD or Through Hole 644551-6.pdf
563K250A01L4 KEMET SMD or Through Hole 563K250A01L4.pdf
C1206X106M4RACTU KEMET SMD or Through Hole C1206X106M4RACTU.pdf
LTV356B LITEON SOP4 LTV356B.pdf
MF1900PL-SF1301 ROHS MURATA QFN MF1900PL-SF1301 ROHS.pdf
IRLML2502TRPBF(GJ8 IR SOT-23 IRLML2502TRPBF(GJ8.pdf
54AC241FMQB/5962-8755101SA NS SOP 54AC241FMQB/5962-8755101SA.pdf