홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTD113EUF

NXP Semiconductors PDTD113EUF

PDTD113EUF
제조업체 부품 번호
PDTD113EUF
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 0.425W
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTD113EUF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 63.25860
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTD113EUF 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTD113EUF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTD113EUF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTD113EUF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTD113EUF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTD113EUF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTD1zzzU Series
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)1k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션225MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70
표준 포장 10,000
다른 이름934068341135
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTD113EUF
관련 링크PDTD11, PDTD113EUF 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTD113EUF 의 관련 제품
1.8µH Unshielded Inductor 5.43A 12 mOhm Max Nonstandard 8532-04L.pdf
SYSTEM MS46SR-20-260-Q2-15X-15R-NC-FP.pdf
NACZF471M25V125X17TR13WTF ORIGINAL SMD or Through Hole NACZF471M25V125X17TR13WTF.pdf
EEEFK1A330R PANASONIC SMD or Through Hole EEEFK1A330R.pdf
CF106B1H104MF SAMWHA SMD or Through Hole CF106B1H104MF.pdf
HI82C59A-12 HI PLCC HI82C59A-12.pdf
SAB-C165-L25MHA INFINEON SMD or Through Hole SAB-C165-L25MHA.pdf
ZK500A600V SanRexPak SMD or Through Hole ZK500A600V.pdf
KA78M05P ST SMD or Through Hole KA78M05P.pdf
1674009-1 AMP ROHS 1674009-1.pdf
OPA111BM-6 BB CAN OPA111BM-6.pdf
87CH29N-4K15 TOS DIP 87CH29N-4K15.pdf