창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDTC143ZMB,315 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PDTC143ZMB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 230MHz | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 934065881315 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDTC143ZMB,315 | |
| 관련 링크 | PDTC143Z, PDTC143ZMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 445C3XE25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XE25M00000.pdf | |
![]() | AT2401A | AT2401A ORIGINAL SOP-8 | AT2401A.pdf | |
![]() | R02-1% | R02-1% ORIGINAL TO-220 | R02-1%.pdf | |
![]() | 5NK50 | 5NK50 ST 220F | 5NK50.pdf | |
![]() | MAX1230BE | MAX1230BE MAXIM BGA-28D | MAX1230BE.pdf | |
![]() | 4575670001 | 4575670001 EPCOS SMD or Through Hole | 4575670001.pdf | |
![]() | A2241 | A2241 RENESAS SMD-8 | A2241.pdf | |
![]() | BPW75 | BPW75 ORIGINAL SMD or Through Hole | BPW75.pdf | |
![]() | PIC16F84A-I/P | PIC16F84A-I/P MICROCHI SMD or Through Hole | PIC16F84A-I/P.pdf | |
![]() | GRM219R60J106K | GRM219R60J106K Muratr SMD or Through Hole | GRM219R60J106K.pdf |