창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDTC143XQAZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PDTC143X,123J,143Z,114YQA | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 230MHz | |
| 전력 - 최대 | 280mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | DFN1010D-3 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 934069149147 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDTC143XQAZ | |
| 관련 링크 | PDTC14, PDTC143XQAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D5R1BLAAJ | 5.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D5R1BLAAJ.pdf | |
![]() | Y162975R0000F9R | RES SMD 75 OHM 1% 1/10W 0805 | Y162975R0000F9R.pdf | |
![]() | Y162810K0000F9R | RES SMD 10K OHM 1% 3/4W 2512 | Y162810K0000F9R.pdf | |
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![]() | LT120RA TEL:82766440 | LT120RA TEL:82766440 SHARP SMD or Through Hole | LT120RA TEL:82766440.pdf | |
![]() | ISL9000IRMMZ | ISL9000IRMMZ INTERSIL SMD or Through Hole | ISL9000IRMMZ.pdf | |
![]() | 5ST2167 | 5ST2167 SIEMENS SMD or Through Hole | 5ST2167.pdf | |
![]() | 7018L3 | 7018L3 CASIO NA | 7018L3.pdf | |
![]() | MBM29LV800BA90PFTN | MBM29LV800BA90PFTN FUJITS TSOP | MBM29LV800BA90PFTN.pdf | |
![]() | NMR16F5111TR | NMR16F5111TR NIC SMD or Through Hole | NMR16F5111TR.pdf | |
![]() | EPM9400LC84-10 | EPM9400LC84-10 ALTERA PLCC84 | EPM9400LC84-10.pdf |