홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTC143EQAZ

NXP Semiconductors PDTC143EQAZ

PDTC143EQAZ
제조업체 부품 번호
PDTC143EQAZ
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTC143EQAZ 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 52.63320
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTC143EQAZ 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTC143EQAZ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTC143EQAZ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTC143EQAZ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTC143EQAZ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTC143EQAZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTC143,114,124,144EQA
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)4.7k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션230MHz
전력 - 최대280mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010D-3
표준 포장 5,000
다른 이름934069133147
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTC143EQAZ
관련 링크PDTC14, PDTC143EQAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTC143EQAZ 의 관련 제품
1µF Film Capacitor 300V 630V Polyester, Metallized Radial F17725103000.pdf
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 1N5402.pdf
DIODE ZENER 140V 3W DO204AL 3EZ140D5/TR12.pdf
HY64SD16162A-DF85EDR HY BGA HY64SD16162A-DF85EDR.pdf
487526-5 TE SMD or Through Hole 487526-5.pdf
LA4 ON N A LA4.pdf
LA3335M-TRM Sanyo N A LA3335M-TRM.pdf
SN74ALS638A-1DW TI SOP-20 SN74ALS638A-1DW.pdf
FAN1951M18X ORIGINAL Tube FAN1951M18X.pdf
G6B-1174P(24) ORIGINAL SMD or Through Hole G6B-1174P(24).pdf
A83283 AMIS QFN A83283.pdf
1N597 ORIGINAL DIP 1N597.pdf