창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PDTC124EQAZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PDTC143,114,124,144EQA | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
주파수 - 트랜지션 | 230MHz | |
전력 - 최대 | 280mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | DFN1010D-3 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 934069136147 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PDTC124EQAZ | |
관련 링크 | PDTC12, PDTC124EQAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
BFC237668363 | 0.036µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | BFC237668363.pdf | ||
ILSB1206ER4R7K | 4.7µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 900 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | ILSB1206ER4R7K.pdf | ||
ERJ-1TNF9530U | RES SMD 953 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF9530U.pdf | ||
Y162810K0000T9W | RES SMD 10K OHM 0.01% 3/4W 2512 | Y162810K0000T9W.pdf | ||
ON1355E-R58 | RES 1.3M OHM 2W 5% AXIAL | ON1355E-R58.pdf | ||
342S0440-A | 342S0440-A NO PLCC-28 | 342S0440-A.pdf | ||
NFORCETM4-4X | NFORCETM4-4X NVIDIA BGA | NFORCETM4-4X.pdf | ||
RK3221GF12MR | RK3221GF12MR YIHCON SMD or Through Hole | RK3221GF12MR.pdf | ||
TAG233-700 | TAG233-700 ST/TI/ON TO- | TAG233-700.pdf | ||
USB-ML-CFE | USB-ML-CFE FREESCALE COLDFIREWRITER | USB-ML-CFE.pdf | ||
HGTP10N50E1 | HGTP10N50E1 Intersil TO-220 | HGTP10N50E1.pdf | ||
4186A56-K | 4186A56-K ORIGINAL PLCC | 4186A56-K.pdf |