홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTC124EM,315

NXP Semiconductors PDTC124EM,315

PDTC124EM,315
제조업체 부품 번호
PDTC124EM,315
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTC124EM,315 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 54.61000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTC124EM,315 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTC124EM,315 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTC124EM,315가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTC124EM,315 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTC124EM,315 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTC124EM,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTC124E Series
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)22k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)22k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-101, SOT-883
공급 장치 패키지DFN1006-3
표준 포장 10,000
다른 이름568-2155-2
934057175315
PDTC124EM T/R
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTC124EM,315
관련 링크PDTC124, PDTC124EM,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTC124EM,315 의 관련 제품
4.8nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 700 mOhm Max 01005 (0402 Metric) MHQ0402P4N8JT000.pdf
RES ARRAY 8 RES 2.2K OHM 16SOIC 768163222GPTR13.pdf
7709147K CTS SMD or Through Hole 7709147K.pdf
AM305421R1DBGEVB ONS Onlyoriginal AM305421R1DBGEVB.pdf
2420ENZACR ORIGINAL SMD or Through Hole 2420ENZACR.pdf
JCKW3A472KBP1KV ORIGINAL SMD or Through Hole JCKW3A472KBP1KV.pdf
SA52045724 LEM SMD or Through Hole SA52045724.pdf
FSLU2520181J TOKO SMT FSLU2520181J.pdf
ND9PB ORIGINAL 4P ND9PB.pdf
SC550389MFU42 FREESCALE QFP SC550389MFU42.pdf
EDZTE616.2B 6.2V ROHM SOD-523 EDZTE616.2B 6.2V.pdf