창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDTC123YMB,315 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PDTC123YMB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 230MHz | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 934065947315 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDTC123YMB,315 | |
| 관련 링크 | PDTC123Y, PDTC123YMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW0603910RBEEN | RES SMD 910 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603910RBEEN.pdf | |
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![]() | KBPC256G | KBPC256G ORIGINAL SMD or Through Hole | KBPC256G.pdf | |
![]() | 104126-01-6A | 104126-01-6A P/N SIP-11P | 104126-01-6A.pdf | |
![]() | FKBP200 | FKBP200 EIC/ SMD or Through Hole | FKBP200.pdf | |
![]() | 2010-30P | 2010-30P M SMD or Through Hole | 2010-30P.pdf | |
![]() | Z86C9533ASC | Z86C9533ASC ZIL SMD or Through Hole | Z86C9533ASC.pdf | |
![]() | K113S2 | K113S2 IC NA | K113S2.pdf | |
![]() | MA46H503-1056 | MA46H503-1056 MA/COM nul | MA46H503-1056.pdf | |
![]() | ADR525BKS | ADR525BKS FCI SMD or Through Hole | ADR525BKS.pdf | |
![]() | MBM29QM96DF65PBT-JCY | MBM29QM96DF65PBT-JCY FUJITSU BGA | MBM29QM96DF65PBT-JCY.pdf | |
![]() | LI1210D600R | LI1210D600R ORIGINAL SMD or Through Hole | LI1210D600R.pdf |