홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTC123JQAZ

NXP Semiconductors PDTC123JQAZ

PDTC123JQAZ
제조업체 부품 번호
PDTC123JQAZ
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTC123JQAZ 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 52.63320
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTC123JQAZ 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTC123JQAZ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTC123JQAZ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTC123JQAZ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTC123JQAZ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTC123JQAZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTC143X,123J,143Z,114YQA
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션230MHz
전력 - 최대280mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010D-3
표준 포장 5,000
다른 이름934069138147
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTC123JQAZ
관련 링크PDTC12, PDTC123JQAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTC123JQAZ 의 관련 제품
0.022µF Isolated Capacitor 2 Array 25V X7R 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) CKCL22X7R1E223M.pdf
1.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) 08055U1R2BAT2A.pdf
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 BC857AMTF.pdf
RES ARRAY 4 RES 226K OHM 1206 AF164-FR-07226KL.pdf
215R4GADC21M(128PRO) ATI SMD or Through Hole 215R4GADC21M(128PRO).pdf
LFE3-150EA-8FN1156 LATTICE BGA LFE3-150EA-8FN1156.pdf
U1793B TFK SOP U1793B.pdf
CMDA5DR7D1Z-100 CML ROHS CMDA5DR7D1Z-100.pdf
VNV07N07 ST SOP-10 VNV07N07.pdf
IRF1324STRRPBF IR D2-PAK IRF1324STRRPBF.pdf
40RIA60M IR SMD or Through Hole 40RIA60M.pdf
74ALS107N ORIGINAL DIP 74ALS107N.pdf