창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDTC115TMB,315 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 934065952315 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 100k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 230MHz | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDTC115TMB,315 | |
| 관련 링크 | PDTC115T, PDTC115TMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | SMP14A-M3/84A | TVS DIODE 14VWM 23.2VC SMP | SMP14A-M3/84A.pdf | |
![]() | SMA6J26AHM3/5A | TVS DIODE 26VWM 40.9VC DO-214AC | SMA6J26AHM3/5A.pdf | |
![]() | SIT8008BI-12-33E-53.946054E | OSC XO 3.3V 53.946054MHZ | SIT8008BI-12-33E-53.946054E.pdf | |
![]() | ESH3D-M3/57T | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | ESH3D-M3/57T.pdf | |
![]() | 4922-01J | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 5.5A 13 mOhm Max 2-SMD | 4922-01J.pdf | |
![]() | AD201 | AD201 AD SMD | AD201.pdf | |
![]() | LFC32TE056M | LFC32TE056M KOA SMD or Through Hole | LFC32TE056M.pdf | |
![]() | IXGM20N80(A) | IXGM20N80(A) IXY SMD or Through Hole | IXGM20N80(A).pdf | |
![]() | 52745-1397 | 52745-1397 molex SMD or Through Hole | 52745-1397.pdf | |
![]() | UPD1962 | UPD1962 NEC DIP-8 | UPD1962.pdf | |
![]() | 24WC16JI-1.8TE13 | 24WC16JI-1.8TE13 ON SMD or Through Hole | 24WC16JI-1.8TE13.pdf | |
![]() | RD2E475M0811M | RD2E475M0811M SAMWH DIP | RD2E475M0811M.pdf |