창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDTC115TMB,315 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 934065952315 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 100k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 230MHz | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDTC115TMB,315 | |
| 관련 링크 | PDTC115T, PDTC115TMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | C0603X7R1C681M | 680pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603X7R1C681M.pdf | |
![]() | 8275380000 | Optoisolator Transistor Output 1 Channel | 8275380000.pdf | |
![]() | 259403P1 | 259403P1 ORIGINAL DIP8 | 259403P1.pdf | |
![]() | 1008CS-180 | 1008CS-180 DELTA SMD | 1008CS-180.pdf | |
![]() | PACKBMQ0212 | PACKBMQ0212 CMD TSSOP-16 | PACKBMQ0212.pdf | |
![]() | 32375-324 | 32375-324 BERG SMD or Through Hole | 32375-324.pdf | |
![]() | OR2C04A3T100DB | OR2C04A3T100DB ORIGINAL SMD or Through Hole | OR2C04A3T100DB.pdf | |
![]() | WL1H107M0811MPG18P | WL1H107M0811MPG18P SAMWHA SMD or Through Hole | WL1H107M0811MPG18P.pdf | |
![]() | N82C32-1 | N82C32-1 INTEL SMD or Through Hole | N82C32-1.pdf | |
![]() | Eden ESP7000(133x5.5)1.05VSET | Eden ESP7000(133x5.5)1.05VSET VIA BGA | Eden ESP7000(133x5.5)1.05VSET.pdf |