창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PDTC115EMB,315 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 934065953315 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 20mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 100k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 100k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
주파수 - 트랜지션 | 230MHz | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PDTC115EMB,315 | |
관련 링크 | PDTC115E, PDTC115EMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | LGY2F151MELB | 150µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | LGY2F151MELB.pdf | |
![]() | VJ0805A391JXACW1BC | 390pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805A391JXACW1BC.pdf | |
![]() | SMCG6065A/TR13 | TVS DIODE 100VWM 168VC DO215AB | SMCG6065A/TR13.pdf | |
![]() | 445A31H25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 32pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A31H25M00000.pdf | |
![]() | LQW18AN72NJ80D | 72nH Unshielded Wirewound Inductor 560mA 470 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN72NJ80D.pdf | |
![]() | RT0603FRD073K57L | RES SMD 3.57K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRD073K57L.pdf | |
![]() | TMP431A DRTI | TMP431A DRTI TI msop-8 | TMP431A DRTI.pdf | |
![]() | XC9225A12CDR | XC9225A12CDR TOREX QFN | XC9225A12CDR.pdf | |
![]() | BC848DW1 | BC848DW1 NXP SOT-363 | BC848DW1.pdf | |
![]() | XCV6004FG676C | XCV6004FG676C XILINX BGA | XCV6004FG676C.pdf | |
![]() | M7AFS600-1FG484 | M7AFS600-1FG484 ACTEL SMD or Through Hole | M7AFS600-1FG484.pdf | |
![]() | S8241ABPMC-GBPT2G | S8241ABPMC-GBPT2G SII SOT-23-5 | S8241ABPMC-GBPT2G.pdf |