홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTC114TM,315

NXP Semiconductors PDTC114TM,315

PDTC114TM,315
제조업체 부품 번호
PDTC114TM,315
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTC114TM,315 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 54.82000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTC114TM,315 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTC114TM,315 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTC114TM,315가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTC114TM,315 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTC114TM,315 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTC114TM,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTC114T Series
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 1mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-101, SOT-883
공급 장치 패키지DFN1006-3
표준 포장 10,000
다른 이름568-2141-2
934057171315
PDTC114TM T/R
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTC114TM,315
관련 링크PDTC114, PDTC114TM,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTC114TM,315 의 관련 제품
0.33µF Film Capacitor 440V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) BFC233812334.pdf
RES SMD 390K OHM 5% 1/10W 0603 AC0603JR-07390KL.pdf
RES SMD 30K OHM 1% 1/4W 1206 AR1206FR-0730KL.pdf
COM9064CD SMSC SMD or Through Hole COM9064CD.pdf
S2064 AMCC BGA S2064.pdf
BL-BGH3J0A BRIGHT ROHS BL-BGH3J0A.pdf
ICS95190AFLF ICS SOP ICS95190AFLF.pdf
PM7541AGP PMI DIP PM7541AGP.pdf
SDA5450C59BB SIEMENS PLCC SDA5450C59BB.pdf
32R202R-8CM ORIGINAL SOP-36P 32R202R-8CM.pdf
XC-9202 ORIGINAL SMD or Through Hole XC-9202.pdf