홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTB113EUF

NXP Semiconductors PDTB113EUF

PDTB113EUF
제조업체 부품 번호
PDTB113EUF
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 0.425W
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTB113EUF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 63.25860
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTB113EUF 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTB113EUF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTB113EUF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTB113EUF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTB113EUF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTB113EUF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTB1zzzU Series
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)1k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션140MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70
표준 포장 10,000
다른 이름934068333135
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTB113EUF
관련 링크PDTB11, PDTB113EUF 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTB113EUF 의 관련 제품
22pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.80mm x 2.80mm) GQM22M5C2H220GB01L.pdf
FUSE BRD MNT 500MA 600VAC/125VDC 2000.0010.24.pdf
RES CHAS MNT 8 OHM 10% 1000W TA1K0PH8R00KE.pdf
WD-LD1W-60 ORIGINAL SMD or Through Hole WD-LD1W-60.pdf
74F604D PHILIPS 9245 74F604D.pdf
856244 SAWTEK 2KR 856244.pdf
MN101C439HE PANASONIC TQFP80 MN101C439HE.pdf
AD9735BBCZRL AD S N AD9735BBCZRL.pdf
CH707C FUJITSU QFP CH707C.pdf
LB1604F-E2 ROHM SOP8 LB1604F-E2.pdf
HWD4863MTE-- 11 CSMSC TSS0P20 HWD4863MTE-- 11.pdf
ADM1485JP ORIGINAL SMD or Through Hole ADM1485JP.pdf