홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTB113EUF

NXP Semiconductors PDTB113EUF

PDTB113EUF
제조업체 부품 번호
PDTB113EUF
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 0.425W
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTB113EUF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 63.25860
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTB113EUF 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTB113EUF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTB113EUF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTB113EUF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTB113EUF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTB113EUF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTB1zzzU Series
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)1k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션140MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70
표준 포장 10,000
다른 이름934068333135
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTB113EUF
관련 링크PDTB11, PDTB113EUF 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTB113EUF 의 관련 제품
1000pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) C901U102MYWDCA7317.pdf
RES SMD 15.6KOHM 0.01% 0.3W 1206 Y162515K6000T9W.pdf
B39172-B9443-M410-S05 EPCOS BGA B39172-B9443-M410-S05.pdf
0603 2K4 J ORIGINAL SMD or Through Hole 0603 2K4 J.pdf
BLM10A102SGPTM00-03 MURATA SMD BLM10A102SGPTM00-03.pdf
702150796 amp 250tr 702150796.pdf
81G5014BES M TSSOP-38 81G5014BES.pdf
CSTCR7M50G53-R0 MURATA SMD CSTCR7M50G53-R0.pdf
S80830CNNBB8PT2 SEK SMD or Through Hole S80830CNNBB8PT2.pdf
MHR07067GV ORIGINAL SMD or Through Hole MHR07067GV.pdf
UPZ1608E181-2R Sunlord 2A UPZ1608E181-2R.pdf
XC4013XLHT176-2C XILINX QFP XC4013XLHT176-2C.pdf