홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTB113ET,215

NXP Semiconductors PDTB113ET,215

PDTB113ET,215
제조업체 부품 번호
PDTB113ET,215
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTB113ET,215 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 66.78000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTB113ET,215 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTB113ET,215 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTB113ET,215가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTB113ET,215 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTB113ET,215 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTB113ET,215
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTB113ET
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)1k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23(TO-236AB)
표준 포장 3,000
다른 이름934058978215
PDTB113ET T/R
PDTB113ET T/R-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTB113ET,215
관련 링크PDTB113, PDTB113ET,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTB113ET,215 의 관련 제품
OSC XO 3.3V 48MHZ NC SIT8918AE-22-33N-48.000000E.pdf
IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY IMP4-2R0-1F0-1L0-1L0-00-A.pdf
RES SMD 68.1K OHM 0.5% 3/4W 2512 Y162868K1000D16R.pdf
RES ARRAY 4 RES 68K OHM 0804 RAVF104DJT68K0.pdf
27PF 0805 ORIGINAL SMD or Through Hole 27PF 0805.pdf
M50932-414FP MITSUBISHI QFP-64P M50932-414FP.pdf
4112BS NS SMD or Through Hole 4112BS.pdf
GL6250-2.1ST23R GLEAM SMD or Through Hole GL6250-2.1ST23R.pdf
IDT74FCT3257QX IDT SSOP16 IDT74FCT3257QX.pdf
LF400BH LT DIP LF400BH.pdf
EP1K100F1256-2 ALTERA BGA EP1K100F1256-2.pdf
BA5999FP-E2 ROHM DIP BA5999FP-E2.pdf