홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTB113EQAZ

NXP Semiconductors PDTB113EQAZ

PDTB113EQAZ
제조업체 부품 번호
PDTB113EQAZ
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTB113EQAZ 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 62.76440
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTB113EQAZ 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTB113EQAZ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTB113EQAZ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTB113EQAZ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTB113EQAZ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTB113EQAZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTB113,123,143,114EQA
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)1k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션150MHz
전력 - 최대325mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010D-3
표준 포장 5,000
다른 이름934069262147
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTB113EQAZ
관련 링크PDTB11, PDTB113EQAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTB113EQAZ 의 관련 제품
1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 130 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C B43305C2108M87.pdf
Green 558nm LED Indication - Discrete 2.1V 1206 (3216 Metric) BG1102W-TR.pdf
ATF1508AS-15AU100 ATMEL SMD ATF1508AS-15AU100.pdf
BLC6G20LS-110 NXP SMD or Through Hole BLC6G20LS-110.pdf
12M256A-15K ORIGINAL DIP-28 12M256A-15K.pdf
SG-8002CA-16.0000MHZ EPSON SO SG-8002CA-16.0000MHZ.pdf
MJM2178 JRC SMD MJM2178.pdf
SN74LVTH540DWR TI SOP SN74LVTH540DWR.pdf
WD5000BPVT WD SMD or Through Hole WD5000BPVT.pdf
C334226 ORIGINAL SOP-32L C334226.pdf
7AM029A5-1007 Sensata SMD or Through Hole 7AM029A5-1007.pdf