홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTA144EMB,315

NXP Semiconductors PDTA144EMB,315

PDTA144EMB,315
제조업체 부품 번호
PDTA144EMB,315
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTA144EMB,315 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 99.58290
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTA144EMB,315 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTA144EMB,315 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTA144EMB,315가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTA144EMB,315 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTA144EMB,315 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTA144EMB,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 10,000
다른 이름934065929315
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션180MHz
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지3-DFN1006B(.60x1)
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTA144EMB,315
관련 링크PDTA144E, PDTA144EMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTA144EMB,315 의 관련 제품
180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) 12101U181FAT9A.pdf
TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AA 824520201.pdf
AS4305 AS SOT-153 AS4305.pdf
ESAC63-006 FUJI TO-220 ESAC63-006.pdf
6MBI100FA060 FUJI SMD or Through Hole 6MBI100FA060.pdf
C0402C220K8GAC KEMET SMD C0402C220K8GAC.pdf
AL86882A80 NA SMD or Through Hole AL86882A80.pdf
PE65795TR TECHNITROL SOP PE65795TR.pdf
TA8127AN TOSHIBA SMD or Through Hole TA8127AN.pdf
VS7219 VOSSEL DIP-24SO VS7219.pdf
MDS60L ORIGINAL SMD or Through Hole MDS60L.pdf
NSVS1093 JRC JRC NSVS1093.pdf