홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTA123JU,115

NXP Semiconductors PDTA123JU,115

PDTA123JU,115
제조업체 부품 번호
PDTA123JU,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTA123JU,115 가격 및 조달

가능 수량

14550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 19.39025
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTA123JU,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTA123JU,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTA123JU,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTA123JU,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTA123JU,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTA123JU,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTA123JU T/R
PCN 설계/사양Copper Wire Revision 07/May/2014
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 10µA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SOT-323
표준 포장 3,000
다른 이름568-11232-2
934057533115
PDTA123JU T/R
PDTA123JU T/R-ND
PDTA123JU,115-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTA123JU,115
관련 링크PDTA123, PDTA123JU,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTA123JU,115 의 관련 제품
RES SMD 62K OHM 5% 0.4W 0805 ESR10EZPJ623.pdf
P8048H-0559 INTEL DIP-40 P8048H-0559.pdf
MC33375D-2.5G ON SOP-8 MC33375D-2.5G.pdf
LT4256-1CS8 ORIGINAL MSOP LT4256-1CS8 .pdf
S5D2508A08-D0B0 SAMSUNG SMD or Through Hole S5D2508A08-D0B0.pdf
2SC4061K P ROHM SMD or Through Hole 2SC4061K P.pdf
49BV8192AT-12TC ATMEL TSOP 49BV8192AT-12TC.pdf
E01086A EPSON DIP E01086A.pdf
72-727003 BI SMD or Through Hole 72-727003.pdf
PN5022-102K PREMO SMD PN5022-102K.pdf