홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTA123EMB,315

NXP Semiconductors PDTA123EMB,315

PDTA123EMB,315
제조업체 부품 번호
PDTA123EMB,315
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTA123EMB,315 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 99.58290
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTA123EMB,315 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTA123EMB,315 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTA123EMB,315가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTA123EMB,315 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTA123EMB,315 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTA123EMB,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 10,000
다른 이름934065933315
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)2.2k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션180MHz
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지3-DFN1006B(.60x1)
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTA123EMB,315
관련 링크PDTA123E, PDTA123EMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTA123EMB,315 의 관련 제품
0.15µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial F17724152230.pdf
RES SMD 787K OHM 1% 1/4W 1206 RC3216F7873CS.pdf
TB28F400BV-T120 INTEL SMD or Through Hole TB28F400BV-T120.pdf
SND430MC3 ORIGINAL SMD4X4 SND430MC3.pdf
TEA6820T PHI SSOP56W TEA6820T.pdf
LB567 SANYO SIP LB567.pdf
215LCP4ALA13FG(RC410L) ATI BGA 215LCP4ALA13FG(RC410L).pdf
PRN11120 CMD SSOP PRN11120.pdf
NT68167FG/DS NOVATEK QFP NT68167FG/DS.pdf
MI9D131 ORIGINAL SMD or Through Hole MI9D131.pdf
2SDB757 FUJI TO-3P 2SDB757.pdf
MTD10N05+E MOT/ON SMD or Through Hole MTD10N05+E.pdf